Международен екип от учени от САЩ, Обединеното кралство и Тайван разработи най-малкото устройство за памет в света. Резултатите им са публикувани в списанието Nature Nanotechnology .
През 2018 г. професорът Остин Дежи Акиванде и колегите му създадоха тогавашното най-тънко устройство за съхранение на памет, наречено „атомистор“, с един атомен слой с дебелина.
В новата работа изследователите намалиха размера още повече, намалявайки площта на напречното сечение до само един квадратен нанометър.
Дефектите или дупките в материала осигуряват отключване на способността за съхранение на памет с висока плътност.
„Когато един допълнителен метален атом влезе в тази наномащабна дупка и го запълни, той придава част от своята проводимост в материала и това води до промяна или ефект върху паметта“, каза професор Акинванде.
Въпреки че изследователите са използвали молибден дисулфид (MoS 2 ) като основен наноматериал в изследването, те смятат, че откритието може да се приложи за стотици свързани атомно тънки материали.
Състезанието за производство на по-малки чипове и компоненти е свързано с мощност и удобство. С по-малки процесори можете да направите по-компактни компютри и телефони.
Но свиването на чиповете също намалява енергийните им нужди и увеличава капацитета, което означава по-бързи, по-интелигентни устройства, които отнемат по-малко енергия за работа.
„Резултатите, получени в тази работа, проправят пътя за разработване на приложения от бъдещо поколение, които представляват интерес за Министерството на отбраната, като ултра-плътно съхранение, невроморфни изчислителни системи, радиочестотни комуникационни системи и други“, каза д-р Пани Варанаси , програмен мениджър за Изследователската служба на армията на САЩ.
„Научният Граал за мащабиране се спуска до ниво, при което един атом контролира функцията на паметта и това постигнахме в новото изследване“, каза професор Акинванде.
Новото устройство на екипа попада в категорията „мемристори“, популярна област на изследване на паметта, съсредоточена около електрически компоненти с възможност за промяна на съпротивлението между двата му терминала, без да е необходим трети терминал в средата, известен като порта.
Това означава, че те могат да бъдат по-малки от съвременните устройства с памет и да имат по-голям капацитет за съхранение.
Тази версия на мемристора обещава капацитет от около 25 терабита на квадратен сантиметър. Това е 100 пъти по-висока плътност на паметта на в сравнение с наличните в търговската мрежа устройства с флаш памет.
Вижте всички актуални новини от Standartnews.com
